Band Gap Engineering of Cu2-II-IV-VI4 Quaternary Semiconductors Using PBE-GGA, TB-mBJ and mBJ+U Potentials
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
مطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te با استفاده از تقریب‌های GGA و mBJ-GGA
در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه‌ی تابعی چگالی، ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی Cu2-II-IV-VI4(II=Zn,Cd; IV=Ge,Sn; VI=S,Se,Te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده‌های تجربی موجود مقایسه شده‌اند. ویژگی‌های اپتیکی با محاسبه قسمت‌های حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...
متن کاملمطالعه خواص الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی ( cu2-ii-iv-vi4(ii=zn,cd; iv=ge,sn; vi=s,se,te با استفاده از تقریب های gga و mbj-gga
در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی cu2-ii-iv-vi4(ii=zn,cd; iv=ge,sn; vi=s,se,te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. ویژگی های اپتیکی با محاسبه قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...
متن کاملBand-gap design of quaternary (In,Ga)(As,Sb) semiconductors via the inverse-band-structure approach.
Quaternary systems illustrated by (Ga,In)(As,Sb) manifest a huge configurational space, offering in principle the possibility of designing structures that are lattice matched to a given substrate and have given electronic properties (e.g., band gap) at more than one composition. Such specific configurations were however, hitherto, unidentified. We show here that using a genetic-algorithm search...
متن کاملNew Method for Synthesis of Zinc Metaborate Zn4B6O13 Crystals via Sol-Gel Process and Investigation of DFT Calculations
In this work facile sol-gel (pechni) method has been successfully established to synthesize Zn4B6O13 nanocrystals which have cubic crystals with lattice parameter: a =7.48 A. The structure and morphology of the obtained material were studied by X-ray diffraction (XRD), Infrared spectra (IR), scanning electron microscopy (SEM) and photoluminescence analysis. The experimental results show a band ...
متن کاملInter-band Tunnel Transistor Architecture using Narrow Gap Semiconductors
The inter-band tunnel transistor (TFET) architecture features a subkT/q sub-threshold slope operation and can potentially support high ION/IOFF ratios over small gate voltages. Based on twodimensional numerical simulations, we investigate TFET in various material systems ranging from silicon to indium arsenide. TFET performance can be enhanced when heterojunctions are employed at the source sid...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: International Journal of Scientific Research in Physics and Applied Sciences
سال: 2019
ISSN: 2348-3423
DOI: 10.26438/ijsrpas/v7i1.6575